晶鬚是導電的金屬絲，自發的從電子或者電氣產品的焊盤生長出來的。比如：電子器件端子，金屬遮罩殼等。最主要的容易生產晶鬚的金屬包括錫、鎘、鋅等，最著名的就是錫鬚。
錫鬚檢測
電子產品的小型化、高密度的趨勢要求元器件引腳間距越來越小，無鉛化純錫鍍層產生的錫鬚會極大影響產品的可靠性。
加快錫鬚生長是研究和評估錫鬚的重要一環，目前有多種方法和標準，如室溫環境儲存、高溫存放、溫濕度儲存、溫度衝擊、溫度迴圈、通電加速等，業界未達成統一的標準。
JESD22-A121A, 在錫和錫合金表面處理上量測錫鬚生長的測試方法
錫鬚檢查和長度測量
1.初始預測試檢查，篩選檢查，以及詳細檢查
2.返回測試條件：每次讀取時都檢查相同的測試樣品，不得沉積導電濺鍍塗層(201A, 5.3.4)
3.不返回測試條件：每次讀取時都檢查不相同的測試樣品，可以使用導電塗層來減少樣品充電
4.應該特別注意腐蝕、表面劃痕、工具/夾緊痕跡、沖孔或剪切操作產生的邊緣和表面、熱影響區或焊料與鍍層表面邊界
5.若在篩選檢查期間未檢測到晶須，則不需要在該讀取點進行詳細檢查。
6.若在篩選檢查期間有檢測到錫須，則應當識別出至少 18 個似乎具有最長錫須的區域來進行詳細檢查。
7.進行詳細檢查的每個樣品應當檢查3 個端子以及最少6個多引線元件(3*6共18個端子)，具有 4 根或更少引線的 9個無源/分立元件(2*9共18個端子) 。應當使用 250X 最小放大倍數 SEM 檢查，應當使用 50X 的最小放大倍數光學系統。
8.對於晶須長度測量本身，讓被測量的晶須在選定的放大倍率下大致填滿視野。晶須長度測量應該大致垂直於 SEM 和光學顯微鏡的觀察方向。
錫鬚檢測主要的設備儀器有光學立體顯微鏡（放大倍數：約40至700倍，具備充足的照明，並能夠檢測最小長度為10μm的錫鬚）和更為精准的臺式掃描電子顯微鏡（放大倍數：約200至40000倍，樣品要有良好的導電性，試驗前需在表面鍍一層厚度約0.01μm的金屬膜，樣品尺寸需在5cm*5cm以內，太大需要切割取樣）。
錫鬚檢測常用標準有JESD 22A121（錫和錫合金表面處理的錫鬚增長測試方法）、JESD 201（錫和錫合金表面處理的錫鬚之環境接受度需求）、JP002（當前通用的錫鬚理論和緩解實例指導方針）和JESD 22-A104C（錫鬚試驗檢測（金像顯微鏡、光學顯微鏡、SEM））。
錫鬚長度常用的測量方法為根據標準JESD 201A所制定的錫鬚長度測量：從終端/電鍍表面到錫鬚上最遠點的直線距離（即包含錫鬚且其中心位於出現點的球體半徑）。
對於彎曲和改變方向的錫晶須，可參考標準JESD 22A121.01-2005，晶須長度可以通過將晶須的所有直段相加來計算。
錫鬚長度測量方法（來源：標準 JESD 201A）
錫鬚長度測量方法（來源：標準 JESD 22A121.01-2005）
JESD22-A121表4定義的測試條件與JESD201A中表4a(工藝學，長時驗證)/4b(製造工藝變更，短時驗證)一致。
錫鬚檢測
恆溫恆濕試驗機
環境：55±3°C/85±3%RH、時間：2000 Hr
溫度週期試驗機
環境：低溫 -55±5°C或-40±5°C/高溫 85±2°C或125±2°C、週期：2000週期
掃描式電子顯微鏡（SEM）
放大倍率x30 ~ 250,000
加速電壓1 / 5 / 10 / 15 / 20 / 30 kV (6 step)
解析度5nm (30kV, SE)
偵測器標配 : 二次電子 (SE)
錫鬚檢測
電子產品的小型化、高密度的趨勢要求元器件引腳間距越來越小，無鉛化純錫鍍層產生的錫鬚會極大影響產品的可靠性。
加快錫鬚生長是研究和評估錫鬚的重要一環，目前有多種方法和標準，如室溫環境儲存、高溫存放、溫濕度儲存、溫度衝擊、溫度迴圈、通電加速等，業界未達成統一的標準。
JESD22-A121A, 在錫和錫合金表面處理上量測錫鬚生長的測試方法
錫鬚檢查和長度測量
1.初始預測試檢查，篩選檢查，以及詳細檢查
2.返回測試條件：每次讀取時都檢查相同的測試樣品，不得沉積導電濺鍍塗層(201A, 5.3.4)
3.不返回測試條件：每次讀取時都檢查不相同的測試樣品，可以使用導電塗層來減少樣品充電
4.應該特別注意腐蝕、表面劃痕、工具/夾緊痕跡、沖孔或剪切操作產生的邊緣和表面、熱影響區或焊料與鍍層表面邊界
5.若在篩選檢查期間未檢測到晶須，則不需要在該讀取點進行詳細檢查。
6.若在篩選檢查期間有檢測到錫須，則應當識別出至少 18 個似乎具有最長錫須的區域來進行詳細檢查。
7.進行詳細檢查的每個樣品應當檢查3 個端子以及最少6個多引線元件(3*6共18個端子)，具有 4 根或更少引線的 9個無源/分立元件(2*9共18個端子) 。應當使用 250X 最小放大倍數 SEM 檢查，應當使用 50X 的最小放大倍數光學系統。
8.對於晶須長度測量本身，讓被測量的晶須在選定的放大倍率下大致填滿視野。晶須長度測量應該大致垂直於 SEM 和光學顯微鏡的觀察方向。
錫鬚檢測主要的設備儀器有光學立體顯微鏡（放大倍數：約40至700倍，具備充足的照明，並能夠檢測最小長度為10μm的錫鬚）和更為精准的臺式掃描電子顯微鏡（放大倍數：約200至40000倍，樣品要有良好的導電性，試驗前需在表面鍍一層厚度約0.01μm的金屬膜，樣品尺寸需在5cm*5cm以內，太大需要切割取樣）。
錫鬚檢測常用標準有JESD 22A121（錫和錫合金表面處理的錫鬚增長測試方法）、JESD 201（錫和錫合金表面處理的錫鬚之環境接受度需求）、JP002（當前通用的錫鬚理論和緩解實例指導方針）和JESD 22-A104C（錫鬚試驗檢測（金像顯微鏡、光學顯微鏡、SEM））。
錫鬚長度常用的測量方法為根據標準JESD 201A所制定的錫鬚長度測量：從終端/電鍍表面到錫鬚上最遠點的直線距離（即包含錫鬚且其中心位於出現點的球體半徑）。
對於彎曲和改變方向的錫晶須，可參考標準JESD 22A121.01-2005，晶須長度可以通過將晶須的所有直段相加來計算。
錫鬚長度測量方法（來源：標準 JESD 201A）
錫鬚長度測量方法（來源：標準 JESD 22A121.01-2005）
JESD22-A121表4定義的測試條件與JESD201A中表4a(工藝學，長時驗證)/4b(製造工藝變更，短時驗證)一致。
錫鬚檢測
恆溫恆濕試驗機
環境：55±3°C/85±3%RH、時間：2000 Hr
溫度週期試驗機
環境：低溫 -55±5°C或-40±5°C/高溫 85±2°C或125±2°C、週期：2000週期
掃描式電子顯微鏡（SEM）
放大倍率x30 ~ 250,000
加速電壓1 / 5 / 10 / 15 / 20 / 30 kV (6 step)
解析度5nm (30kV, SE)
偵測器標配 : 二次電子 (SE)